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Si3442CDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
9
7.2
5.4
3.6
1.8
0
0
25
50 75 100
125
150
T C - Case Temperature ( ° C)
Current Derating*
3.5
2.8
2.1
1.4
0.7
0
1.25
1
0.75
0.5
0.25
0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperature ( ° C)
Power, Junction-to-Case
T A - Ambient Temperature ( ° C)
Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max.) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 62654
S12-0976-Rev. A, 30-Apr-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
5
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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